Central Semiconductor 2N5210

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

350mW

hFEMin

200

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

增益带宽积

30MHz

集电极发射器电压(VCEO)

700mV

最大集电极电流

50mA

转换频率

30MHz

频率转换

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

最小直流增益（hFE）

200

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

符合RoHS标准