Central Semiconductor 2N5306

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

质量

453.59237mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

hFEMin

7000

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

集电极发射器电压(VCEO)

1.4V

最大集电极电流

300mA

转换频率

60MHz

频率转换

60MHz

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

1.2A

高度

5.33mm

长度

5.21mm

宽度

4.19mm

RoHS状态

符合RoHS标准