Central Semiconductor 2N5859

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

2N5859

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Turn-off Time-Max (toff)

60 ns

Risk Rank

5.37

Part Package Code

TO-39

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-39

最大耗散功率(Abs)

5 W

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

40 V

VCEsat-最大值

0.7 V

集电极-基极电容-最大值

7 pF

环境耗散-最大值

1 W