Central Semiconductor 2N6052

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-3

底架

通孔

质量

6.40101g

hFEMin

750

Power Dissipation (Max)

150W

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

已出版

2016

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

12A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

750

连续集电极电流

12A

宽度

26.67mm

长度

39.36mm

高度

11.43mm

RoHS状态

符合RoHS标准