Central Semiconductor 2N6109

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W

hFEMin

30

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

集电极发射器电压(VCEO)

3.5V

最大集电极电流

7A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

450mA

RoHS状态

符合RoHS标准