Central Semiconductor 2N6123

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W

hFEMin

20

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

2.5MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

40W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

2.5MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

转换频率

2.5MHz

频率转换

2.5MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

450mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅