Central Semiconductor 2N6384
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2N6384
420-2N6384
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-3
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Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington
1最小包装量--
2N6384详情
Central Semiconductor 2N6384重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
100W
已出版
2016
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
极性
NPN
配置
DARLINGTON
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
集电极发射器电压(VCEO)
3V
最大集电极电流
10A
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最小直流增益(hFE)
100
RoHS状态
符合RoHS标准
2N6384拓展信息
Central Semiconductor
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Central Semiconductor Corp
Central Semiconductor
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