2N6384
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Central Semiconductor 2N6384

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型号

2N6384

utmel 编号

420-2N6384

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington

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2N6384
2N6384 Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington

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2N6384详情

Central Semiconductor 2N6384重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    100W

  • 已出版

    2016

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 极性

    NPN

  • 配置

    DARLINGTON

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    3V

  • 最大集电极电流

    10A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Central Semiconductor 2N6384.

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