Central Semiconductor 2N6427

包装/外壳

TO-92

底架

通孔

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

14000

Power Dissipation (Max)

625mW

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

50nA

转换频率

130MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

450mA

宽度

4.19mm

长度

5.21mm

高度

5.33mm

RoHS状态

符合RoHS标准