Central Semiconductor 2N6431

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Frequency(Max)

50MHz

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

50MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW

hFEMin

25

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

50MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.8W

晶体管应用

AMPLIFIER

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

100mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

450mA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅