Central Semiconductor 2N6431

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Frequency(Max)

50MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW

hFEMin

25

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

50MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.8W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

100mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

450mA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅