Central Semiconductor 2N6491

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W

hFEMin

20

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

PNP

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

5MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

15A

转换频率

5MHz

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

5

连续集电极电流

450mA

RoHS状态

符合RoHS标准