Central Semiconductor 2N6668

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

65W

hFEMin

100

包装

Box

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

DARLINGTON

功率耗散

65W

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

20MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

转换频率

20MHz

频率转换

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

连续集电极电流

450mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅