Central Semiconductor 2N708

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

hFEMin

30

包装

Box

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

400MHz

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

25μA

转换频率

400MHz

频率转换

400MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

最大耗散功率(Abs)

0.36W

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

30

关断时间-最大值（toff)

70ns

接通时间-最大值(ton)

40ns

RoHS状态

符合RoHS标准