Central Semiconductor CEDM7004TR

包装/外壳

SC-101, SOT-883

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-883

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.78A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

100mW (Ta)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Package Description

1 X 0.60 MM, HALOGEN FREE, TLP, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CEDM7004TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

1.78 A

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

ESD PROTECTED, LOW THERHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

460 mOhm @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

43pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.79nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

8V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.78 A

漏极-源极导通最大电阻

0.46 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.1 W

场效应管特性

--

达到SVHC

unknown