CMLM8205TR
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Central Semiconductor CMLM8205TR

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型号

CMLM8205TR

utmel 编号

420-CMLM8205TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-6

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CMLM8205TR Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-6

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CMLM8205TR详情

Central Semiconductor CMLM8205TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 供应商器件包装

    SOT-563

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    280mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V, 10V

  • 厂商

    Central Semiconductor Corp

  • Power Dissipation (Max)

    150mW (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 电阻

    5 Ω

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    350 mW

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 元素配置

    共阳极

  • 正向电流

    500 mA

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.5Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    70 pF @ 25 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    50 V

  • Vgs(最大值)

    20V

  • 正向电压

    470 mV

  • 峰值反向电流

    100 µA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    40 V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    10 A

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • 漏源电阻

    5 Ω

  • 无铅

    无铅

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CMLM8205TR拓展信息

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