CMPDM7002AETR
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Central Semiconductor CMPDM7002AETR

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型号

CMPDM7002AETR

utmel 编号

420-CMPDM7002AETR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 63V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3PIN

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CMPDM7002AETR
CMPDM7002AETR Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 63V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3PIN

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CMPDM7002AETR详情

Central Semiconductor CMPDM7002AETR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    CMPDM7002AETR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Central Semiconductor Corp

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.58

  • Drain Current-Max (ID)

    0.3 A

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    300 mA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.4 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    63 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    1.4 Ω

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

0个相似型号

CMPDM7002AETR拓展信息

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2N6037
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