Central Semiconductor CYT5551HCD
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CYT5551HCD
420-CYT5551HCD
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Bipolar Transistors - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
1最小包装量--
CYT5551HCD详情
Central Semiconductor CYT5551HCD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
CYT5551HCD
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Risk Rank
5.87
Number of Elements
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
160 V
CYT5551HCD拓展信息
Central Semiconductor
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Central Semiconductor Corp
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