Central Semiconductor MJE180

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-126

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W

hFEMin

50

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.29.00.75

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

3A

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

最小直流增益（hFE）

12

连续集电极电流

3A

RoHS状态

符合RoHS标准