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1

￥3.93995
10

￥3.716932
100

￥3.506542
500

￥3.308061
1000

￥3.120813

Central Semiconductor MPS650 TIN/LEAD

Name: MPS650 TIN/LEAD
Brand: Central Semiconductor
SKU: 420-MPS650 TIN/LEAD
Price: 3.94 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MPS650 TIN/LEAD

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-MPS650 TIN/LEAD

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-92-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 625mW

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MPS650 TIN/LEAD Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 625mW

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MPS650 TIN/LEAD详情

技术参数

Central Semiconductor MPS650 TIN/LEAD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-92-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-92-3
RoHS

N
Mounting Styles

通孔
Transistor Polarity

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V
Emitter- Base Voltage VEBO

5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV
Maximum DC Collector Current

-
Pd - Power Dissipation

625 mW
Gain Bandwidth Product fT

75 MHz
Minimum Operating Temperature

- 65 C
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min

75 at 50 mA, 2 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500
Package

Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)

2 A
厂商

Central Semiconductor Corp
Product Status

活跃
系列

MPS650
包装

Bulk
操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)
配置

Single
功率 - 最大

625 mW
晶体管类型

NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V
最大集极截止电流

100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V
频率转换

75MHz
集电极基极电压(VCBO)

60 V
连续集电极电流

2 A

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MPS650 TIN/LEAD拓展信息

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