Central Semiconductor TIP31B

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

40W

hFEMin

10

包装

Bulk

已出版

2017

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

3MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

JEDEC-95代码

TO-220AB

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

3A

RoHS状态

符合RoHS标准