Central Semiconductor Corp 2N3646

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-106-3 Domed

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 30mA 400mV

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

转换频率

350MHz

频率转换

350MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2W

关断时间-最大值（toff)

28ns

接通时间-最大值(ton)

18ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant