Central Semiconductor Corp 2N5192R

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2016

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

40W

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

功率 - 最大

40W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.4V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.4V @ 1A, 4A

转换频率

2MHz

频率转换

2MHz

RoHS状态

符合RoHS标准