Central Semiconductor Corp BDW83C
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BDW83C
420-BDW83C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-218-3
大陆
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POWER TRANSISTOR NPN TO218
1最小包装量--
BDW83C详情
Central Semiconductor Corp BDW83C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-218-3
安装类型
通孔
底架
通孔
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Current-Collector (Ic) (Max)
15A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
130W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最大集电极电流
15A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 6A 3V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BDW83C拓展信息
Central Semiconductor
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