CJD112 TR13
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Central Semiconductor Corp CJD112 TR13

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型号

CJD112 TR13

utmel 编号

420-CJD112 TR13

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 100V 2A DPAK

起订量

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CJD112 TR13
CJD112 TR13 Central Semiconductor Corp TRANS NPN 100V 2A DPAK

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CJD112 TR13详情

Central Semiconductor Corp CJD112 TR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2A

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    1.75W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN - Darlington

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    1000 @ 2A 3V

  • 最大集极截止电流

    20μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    3V @ 40mA, 4A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    100V

  • 转换频率

    25MHz

  • 频率转换

    25MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    20W

  • VCEsat-最大值

    3 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    100pF

  • 环境耗散-最大值

    20W

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Central Semiconductor Corp CJD112 TR13.

CJD112 TR13拓展信息

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