Central Semiconductor Corp CJD200 TR13

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

5A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.4W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

45 @ 2A 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

转换频率

65MHz

频率转换

65MHz

最大耗散功率(Abs)

12.5W

VCEsat-最大值

1.8 V

集电极-基极电容-最大值

80pF

环境耗散-最大值

13W

RoHS状态

ROHS3 Compliant