Central Semiconductor Corp CMRDM3575 TR PBFREE

工厂交货时间

22 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-963

安装类型

表面贴装

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160mA 140mA

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-65°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

125mW

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.46nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.16A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.125W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant