Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M832DS TR

表面安装

YES

包装/外壳

8-TDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

860mA Ta

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-65°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

compliant

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.65W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 950mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.56nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.86A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.65W

场效应管特性

Standard