Central Semiconductor Corp TIP111

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

50W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 4V

最大集极截止电流

2mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

转换频率

25MHz

频率转换

25MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

2A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant