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价格梯度

内地含税价

1

￥2.140832
10

￥2.019653
100

￥1.905329
500

￥1.797486
1000

￥1.695744

Comchip Technology MMBT5401-G

Name: MMBT5401-G
Brand: Comchip Technology
SKU: 513-MMBT5401-G
Price: 2.14 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBT5401-G

品牌

Comchip Technology

utmel 编号

513-MMBT5401-G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Bipolar Transistors VCEO=-150V IC=-600mA

起订量

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MMBT5401-G Comchip Technology RF Bipolar Transistors VCEO=-150V IC=-600mA

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MMBT5401-G详情

技术参数

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型号对比

Comchip Technology MMBT5401-G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
质量

200.998119mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V
hFEMin

80
Number of Elements

1
已出版

2011
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55°C~150°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
最大功率耗散

300mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

R-PDSO-G3
元素配置

Single
功率 - 最大

300mW
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

500mV
最大集电极电流

600mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA
转换频率

100MHz
频率转换

100MHz
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
连续集电极电流

-600mA
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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MMBT5401-G拓展信息

热销零件