BC856AQ-7-F
BC856AQ-7-F

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Diodes BC856AQ-7-F

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型号

BC856AQ-7-F

品牌

Diodes

utmel 编号

671-BC856AQ-7-F

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

QFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

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BC856AQ-7-F
BC856AQ-7-F Diodes PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

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BC856AQ-7-F详情

Diodes BC856AQ-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    QFN

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • Standard Frequency

    7.3728

  • Operating Temp Range

    -40C to 85C

  • Operating Supply Voltage (Max)

    1.98(V)

  • Operating Supply Voltage (Min)

    1.62(V)

  • Programmable

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    310 mW

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    250 mV

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Gain Bandwidth Product fT

    200 MHz

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • Maximum DC Collector Current

    100 mA

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    65 V

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 类型

    CLOCK OSCILLATOR

  • 子类别

    Transistors

  • 频率稳定性

    ±25(ppm)

  • 对称性-最大值

    55(%)

  • 配置

    Single

  • 负载电容

    15(pF)

  • 功率耗散

    350

  • 功率 - 最大

    310mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    125 @ 2mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    65V

  • 转换频率

    100

  • 频率转换

    200MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80 V

  • 连续集电极电流

    500

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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