Diodes DMN4027SSDQ-13

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

Surface

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOP

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

TSDR6120MA10M-SSAC

Approvals

CE, CSA, UL

Manufacturer

SSAC

Timing Range

20

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A (Ta)

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

5.4 A

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

终端

0.250 in Flat Blade

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.25W (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

604pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

线圈电压

230 VAC

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.027 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

17.2 W

场效应管特性

Standard

操作方式

重复循环

产品类别

MOSFET