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1

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10

￥4.142765
100

￥3.908268
500

￥3.687049
1000

￥3.478347

Diodes DMTH10H032LPDW-13

Name: DMTH10H032LPDW-13
Brand: Diodes
SKU: 671-DMTH10H032LPDW-13
Price: 4.39 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

DMTH10H032LPDW-13

品牌

Diodes

utmel 编号

671-DMTH10H032LPDW-13

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 100V 24A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

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DMTH10H032LPDW-13 Diodes Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 100V 24A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

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DMTH10H032LPDW-13详情

技术参数

Diodes DMTH10H032LPDW-13重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-PowerTDFN
供应商器件包装

PowerDI5060-8 (Type UXD)
Package

Bulk
Base Product Number

DMTH10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A (Tc)
厂商

Diodes Incorporated
Product Status

活跃
Number of Elements per Chip

2
Package Type

PowerDI5060-8
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500
Manufacturer

Diodes Incorporated
Brand

Diodes Incorporated
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
包装

Reel
子类别

MOSFETs
技术

MOSFET (Metal Oxide)
引脚数量

8
配置

2 N-Channel
功率 - 最大

3W (Ta), 37W (Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

683pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.9nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

100V
产品类别

MOSFET
信道型

N
场效应管特性

Standard
产品类别

MOSFET

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