Diodes Incorporated 2DB1132P-13

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

190MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2DB1132

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

190MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

190MHz

最大击穿电压

32V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.48mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant