Diodes Incorporated 2DB1132Q-13

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-89-3

质量

51.993025mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-125mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

频率

190MHz

基本部件号

2DB1132

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

增益带宽积

190MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

32V

最大击穿电压

32V

频率转换

190MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.48mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant