Diodes Incorporated 2DB1182Q-13

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-800mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

10W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

110MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2DB1182

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

10W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

110MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

32V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅