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Diodes Incorporated 2N7000P

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对比

型号

2N7000P

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-2N7000P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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2N7000P

2N7000P Diodes Incorporated Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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2N7000P详情

技术参数

Diodes Incorporated 2N7000P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Package Style

CYLINDRICAL
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

200 °C
Manufacturer Part Number

2N7000P
Package Shape

ROUND
Manufacturer

Zetex / Diodes Inc
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

ZETEX PLC
Drain Current-Max (ID)

0.2 A
Risk Rank

5.03
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.21.00.95
端子位置

BOTTOM
终端形式

WIRE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

O-PBCY-W3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

5 Ω
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

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2N7000P拓展信息

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