注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.416116
10
¥0.392563
100
¥0.370341
500
¥0.349379
1000
¥0.329602
Diodes Incorporated BCW66HTA
- 收藏
- 对比
BCW66HTA
671-BCW66HTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

DIODES INC. - BCW66HTA - TRANSISTOR, NPN, 45V, 500mA, 330mW, SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCW66HTA详情
Diodes Incorporated BCW66HTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
800mA
频率
100MHz
基本部件号
BCW66
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
330mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
20nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
75V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
800mA
关断时间-最大值(toff)
400ns
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCW66HTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。