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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BCW66HTA
BCW66HTA
BCW66HTA

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Diodes Incorporated BCW66HTA

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  • 对比

型号

BCW66HTA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-BCW66HTA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. - BCW66HTA - TRANSISTOR, NPN, 45V, 500mA, 330mW, SOT-23

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BCW66HTA
BCW66HTA Diodes Incorporated DIODES INC. - BCW66HTA - TRANSISTOR, NPN, 45V, 500mA, 330mW, SOT-23

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BCW66HTA详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated BCW66HTA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    700mV

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 电压 - 额定直流

    45V

  • 最大功率耗散

    330mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    800mA

  • 频率

    100MHz

  • 基本部件号

    BCW66

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    330mW

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    800mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    250 @ 100mA 1V

  • 最大集极截止电流

    20nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    700mV @ 50mA, 500mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    75V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 连续集电极电流

    800mA

  • 关断时间-最大值（toff)

    400ns

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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