Diodes Incorporated BS107PSTOB

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

120mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30 Ω @ 100mA, 5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

23Ohm

漏源击穿电压

200V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅