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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.471436
10
¥8.935321
100
¥8.429541
500
¥7.952398
1000
¥7.502262
Diodes Incorporated BS107PSTZ
- 收藏
- 对比
BS107PSTZ
671-BS107PSTZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
E-Line-3
大陆
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MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BS107PSTZ详情
Diodes Incorporated BS107PSTZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
E-Line-3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V 5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
200V
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
120mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
30 Ω @ 100mA, 5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
85pF @ 25V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
120mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BS107PSTZ拓展信息
Diodes Incorporated
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