Diodes Incorporated BS250PSTOB

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

E-Line-3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

-45V

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-230mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

45V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

230mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.23A

漏源击穿电压

-45V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅