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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.023888
10
¥4.739516
100
¥4.471239
500
¥4.218151
1000
¥3.979393
Diodes Incorporated BSS138DW-7
- 收藏
- 对比
BSS138DW-7
671-BSS138DW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 50V 200mW
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS138DW-7详情
Diodes Incorporated BSS138DW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
资历状况
不合格
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
200mW
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 220mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSS138DW-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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