Diodes Incorporated BSS138TA

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.5Ohm

电压 - 额定直流

50V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 220mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

50V

栅源电压

1.5 V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅