DMC1028UVT-7
DMC1028UVT-7

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Diodes Incorporated DMC1028UVT-7

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型号

DMC1028UVT-7

utmel 编号

671-DMC1028UVT-7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R

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DMC1028UVT-7
DMC1028UVT-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R

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DMC1028UVT-7详情

Diodes Incorporated DMC1028UVT-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 供应商器件包装

    TSOT-26

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.1A (Ta), 3.5A (Ta)

  • Qualification

    -

  • Transistor Polarity

    Complementary N and P Channel

  • Continuous Drain Current Id

    6.1A

  • Id - Continuous Drain Current

    6.1 A, 3.5 A

  • Typical Turn-Off Delay Time

    15.7 ns, 20.8 ns

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    25 mOhms, 80 mOhms

  • Qg - Gate Charge

    18.5 nC, 11.5 nC

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Unit Weight

    0.000282 oz

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 8 V, + 8 V

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Pd - Power Dissipation

    800 mW

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    1 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    4.6 ns, 3.5 ns

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    12 V, 20 V

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Dual

  • 通道数量

    2 Channel

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 场效应管类型

    N and P-Channel Complementary

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25mOhm @ 5.2A, 4.5V, 80mOhm @ 3.8A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    787pF @ 6V, 576pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18.5nC @ 8V, 11.5nC @ 8V

  • 上升时间

    9.4 ns, 3.6 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V, 20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    1 N-Channel, 1 P-Channel

  • 信道型

    Complementary N and P Channel

  • 场效应管特性

    Standard

  • 产品类别

    MOSFET

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