注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.409789
10
¥4.160175
100
¥3.924697
500
¥3.702544
1000
¥3.492968
Diodes Incorporated DMC2710UV-7
- 收藏
- 对比
DMC2710UV-7
671-DMC2710UV-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC2710UV-7详情
Diodes Incorporated DMC2710UV-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A Ta 800mA Ta
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
460mW Ta
场效应管类型
N and P-Channel Complementary
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 600mA, 4.5V, 700m Ω @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
42pF 49pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
600pC, 700pC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.8W
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC2710UV-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated






哦! 它是空的。