Diodes Incorporated DMG1012TQ-7

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-523

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

280mW Ta

Turn Off Delay Time

26.7 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

630mA Ta

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280mW

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 600mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60.67pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.74nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±6V

连续放电电流(ID)

630mA

栅极至源极电压(Vgs)

6V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

20V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

900μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant