Diodes Incorporated DMG1026UVQ-7

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

440mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

650mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

32pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.45pC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.38A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant