Diodes Incorporated DMG4413LSS-13

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

850.995985mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

Turn Off Delay Time

160 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A Ta

已出版

2009

包装

Digi-Reel®

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

电压

30V

元素配置

Single

电流

83A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4965pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

66 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

漏源击穿电压

-30V

宽度

3.95mm

长度

4.95mm

高度

1.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅