Diodes Incorporated DMG4466SSS-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.42W Ta

Turn Off Delay Time

14.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.42W

接通延迟时间

2.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

478.9pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

7.9ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

3.1 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant