DMG6301UDW-13
DMG6301UDW-13

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Diodes Incorporated DMG6301UDW-13

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型号

DMG6301UDW-13

utmel 编号

671-DMG6301UDW-13

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

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DMG6301UDW-13
DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

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DMG6301UDW-13详情

Diodes Incorporated DMG6301UDW-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 供应商器件包装

    SOT-363

  • 质量

    6.010099mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    240mA

  • Turn Off Delay Time

    6.6 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    2.9 ns

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4Ohm @ 400mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    27.9pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.36nC @ 4.5V

  • 上升时间

    1.8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 下降时间(典型值)

    2.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    240mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 输入电容

    27.9pF

  • 场效应管特性

    Standard

  • 漏源电阻

    3.8Ohm

  • 最大rds

    4 Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated DMG6301UDW-13.

DMG6301UDW-13拓展信息

DMC2038LVT-7
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DMN65D8LDW-7
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