Diodes Incorporated DMN1008UFDF-13

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2017

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

995pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.4nC @ 8V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.0125Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant